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CCD圖像傳感器實驗中光敏元的結構及工作原理是什么

: 問提問者：網(wǎng)友 | 2020-10-08

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CCD 電荷耦合器件分為線陣器件和面陣器件兩種 . 其基本組成部分是 MOS 光敏元列陣和讀出移位寄存器。 MOS光敏元的結構它是在半導體(P型硅)基片上形成一種氧化物 (如二氧化硅)，在氧化物上再沉積一層金屬電極，以此形成一個金屬-氧化物-半導體結構元 (MOS） MOS 光敏元工作原理如上圖所示，從半導體的原理得，當在金屬電極上施加一正電壓時，在電場的作用下，電極下面的 P 型硅區(qū)域里的空穴將被趕盡，從而形成耗盡區(qū)。也就是說，對帶負電的電子而言，這個耗盡區(qū)是一個勢能很低的區(qū)域，稱為 " 勢阱 " 。如果此時有光線入射到半導體硅片上，則在光子的作用下，半導體硅片上就形成電子和空穴，由此產生的光生電子被附近的勢阱所吸收 ( 或稱俘獲），而同時產生的空穴則被電場排斥出耗盡區(qū)。此時勢阱內所吸收的光生電子數(shù)量與入射到勢阱附近的光強成正比。人們稱這樣一個 MOS 結構元為 MOS 光敏元，或稱為一個像素 ; 把一個勢餅所收集的若干光生電荷稱為一個電荷包。通常在半導體硅片上制有幾百個或幾千個相互獨立的 MOS 元，它們按線陣或面陣有規(guī)則地排列。如果在金屬電極上施加一正電壓，則在這半導體硅片上就形成幾百個或幾千個相互獨立的勢阱。如果照射在這些光敏元上的是一幅明暗起伏的圖像，則與此同時，在這些光敏元上就會感生出一幅與光照強度相對應的光生電荷圖像。這就是電荷耦合器件的光電效應的基本原理。: 回答者：網(wǎng)友

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